낸드플래시 라인 증설 2021년 완공 계획

중국 리커창 총리 등 일행이 14일 중국 산시성 시안의 삼성전자 반도체 공장을 시찰하고 있다. 리 총리는 이날 반도체 분야에서의 양국 협력 강화 의사를 시사했다. 2019.10.15 (사진=뉴시스)
중국 리커창 총리 등 일행이 지난 10월 14일 중국 산시성 시안의 삼성전자 반도체 공장을 시찰하고 있다. 리 총리는 이날 반도체 분야에서의 양국 협력 강화 의사를 시사했다. 2019.10.15 (사진=뉴시스)

[증권경제신문=길연경 기자] 삼성전자(005930, 부회장 이재용)가 유일한 해외 메모리 반도체 생산기지인 중국 산시성 시안 반도체 공장에 80억달러(9조5000억원) 규모의 낸드플래시 라인 추가 투자를 단행한다.

12일 중국 현지 매체들과 시안시 홈페이지 및 업계 등에 따르면 삼성전자는 장비 발주나 라인 증설 등에 80억달러를 추가 투자해 2021년까지 생산라인을 완공할 계획인 것으로 알려졌다.

삼성전자 시안 공장은 지난 10월 리커창 중국 총리가 깜짝 현장 방문하며 '총 150억달러(약 17조8000억원)가 투자된다'며 이례적으로 구체적 금액까지 언급하며 투자 확대를 환영한 바 있다.

또 왕하오 시안시 서기는 "삼성전자에 좋은 환경을 만들고, 사업 서비스 보장과 삼성이 사랑하는 도시, 기업 발전에 기여하는 도시 만들기에 최선을 다하겠다"며 삼성전자의 투자를 환영했다. 

앞서 삼성전자는 지난 2017년 8월 시안 2공장에 1단계 투자로 3년간 70억달러(약 7조8000억원)를 투자할 계획이라고 공식 발표했다. 이 같은 1차 투자는 오는 3월 마무리 되며, 내년부터 2차로 80억달러를 추가 투입하면 삼성전자 시안 2공장 총 투자액은 150억달러 규모에 이를 것으로 예상된다.

강봉용 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문 경영지원실장(부사장)은 "삼성전자가 2012년 시안에 정착한 이래 시안시위원회, 시정부의 강력한 지원으로 프로젝트 1차 생산은 양호하게 진행됐고, 2차 1단계 사업도 순조롭게 진행되고 있다"며 "이번에는 2차 2단계 80억달러 프로젝트도 차질없이 진행될 것"이라고 밝혔다. 

이어 강 부사장은 "삼성전자는 중국 시안 투자를 늘리고 사회 복지 사업에 적극적으로 참여해 지역 경제와 사회발전에 공헌할 것"이라고 덧붙였다. 

삼성전자 시안 반도체 공장은 2012년 1기 기공식을 시작으로 2013년 전자연구소 설립, 2014년 1세대 V-NAND 양산 및 2015년 후공정 라인 완공, 2018년 2기 증설까지 꾸준한 투자가 이뤄지고 있다. 이재용 삼성전자 부회장도 지난 2월 이 곳을 방문해 반도체 사업을 점검한 바 있다.

SNS 기사보내기
기사제보
저작권자 © 증권경제신문 무단전재 및 재배포 금지