이달 공사 착수해 2021년 하반기 본격 가동
[증권경제신문=길연경 기자] 삼성전자(005930, 부회장 이재용)가 지난해 4월 '반도체 비전 2030' 발표 이후 그 후속 조치로 극자외선(EUV) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기도 평택 캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다. 시스템 반도체 분야에서 글로벌 1위를 달성하기 위한 전략이다.
삼성전자는 올해 2월 EUV 전용 화성 'V1 라인' 가동에 이어 평택까지 파운드리 라인을 구축하며 모바일, 고성능 컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI) 등 다양한 분야로 초미세 공정 기술 적용 범위를 확대해 나갈 방침이라고 21일 밝혔다.
평택 파운드리 라인 공사는 이달 착수했으며, 2021년 하반기부터 본격 가동할 계획이다.
이번 투자는 삼성전자가 지난해 4월 발표한 반도체 비전 2030 관련 후속 조치의 일환이다. 삼성전자가 평택 캠퍼스 파운드리 시설에 투자 금액을 밝히지 않았지만 증권가와 업계에서는 10조원 안팎의 투자가 이뤄질 것으로 보고 있다.
삼성전자는 지난 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후, 2020년 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대해 왔다. 여기에 2021년 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 더욱 가파르게 증가할 전망이다.
업계에 따르면 이재용 삼성전자 부회장은 최근 낸드플래시가 주력인 중국 시안 반도체 공장을 방문한 직후, 국내 메모리 공장을 파운드리로 전용하겠다는 계획을 밝혔다.
이같은 삼성전자의 전략은 파운드리 업계 1위인 대만의 TSMC가 미·중 갈등 고조로 곤혹스러운 상황에서 이뤄지고 있다는 분석이다. 미국 상무부는 지난 15일(현지 시각) 미국 기술을 사용한 비메모리 반도체를 중국 화웨이에 팔지 못하도록 했다. TSMC의 매출 15%가량이 화웨이에서 나고 있다.
현재 7나노 이하 초미세공정 반도체 생산이 가능한 곳은 TSMC와 삼성전자 둘 뿐이다. TSMC는 이미 5나노 제품 양산에 나선 상태다. 삼성전자는 지난해 하반기 6나노 반도체 양산을 시작했다. 삼성전자는 올해 하반기 화성에서 5나노 제품 양산을 계획하고 있다. 이어 평택 파운드리 라인에서도 5나노 이하 반도체를 주력 생산할 예정이다.
정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 "5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것"이라며, "전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것"이라고 밝혔다.
글로벌 파운드리 시장은 5G, HPC, AI, 네트워크 등 신규 응용처 확산에 따라 초미세 공정 중심의 성장이 예상되며, 삼성전자는 프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해 나간다는 전략이다.
한편 삼성전자는 지난해 4월 연구개발과 생산시설을 확충하는데 총 133조원을 투자해 오는 2030년까지 시스템 반도체 1위를 달성하겠다는 목표를 밝힌 바 있다.
삼성전자 연구개발(R&D)비는 지난해 20조 2076억원으로 사상 처음 20조원을 넘어섰다. 지난해부터 반도체 부문은 전 분야에 걸쳐 경력직을 대대적으로 뽑고 있으며, 임직원수도 10만 5257명으로 사상 최대를 기록했다.