5월 클린룸 공사 착수, 2021년 하반기 최첨단 V낸드 양산
적극적인 투자로 미래 시장기회 선점

평택캠퍼스 P2 라인 전경 (사진=삼성전자 제공)
평택캠퍼스 P2 라인 전경 (사진=삼성전자 제공)

[증권경제신문=길연경 기자] 삼성전자(005930, 부회장 이재용)가 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축하는 투자를 단행한다. 앞서 삼성전자는 지난달 21일 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 라인 구축을 발표한지 열흘 만에 신규 투자 발표다. 삼성은 파운드리와 낸드플래시 신규 라인 투자로 시스템반도체 및 메모리 반도체 모두 초격차를 확대한다는 전략이다.
 
삼성전자는 5월 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며, 2021년 하반기 양산을 시작할 계획이다.
 
이번 투자는 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에 대응하기 위해서다. 업계에서는 8조원 규모에 달할 것으로 전망하고 있다. 
 
특히 최근 '언택트' 라이프스타일 확산으로 이런 추세가 더욱 가속될 것으로 예상되는 가운데, 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점해 나간다는 전략이다.
 
지난 2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로서 세계 최대규모의 생산라인 2개가 건설됐다. 이번 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자의 최첨단 V낸드 제품이 양산될 예정이다.
 
삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 독보적인 제조, 기술경쟁력으로 글로벌 시장 리더의 자리를 지키고 있으며 지난 해 7월 업계 최초로 6세대(1xx단) V낸드 제품을 양산한 바 있다.
 
삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 "이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력"이라며 "최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것"이라고 밝혔다.
 
삼성전자는 국내에는 화성과 평택, 해외에는 중국 시안에 낸드플래시 생산라인을 운영 중이며 국내외 균형있는 투자를 통해 안정적인 글로벌 공급망을 유지하고 시장리더십을 더욱 강화할 예정이다.

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