(사진=SK하이닉스 제공)
(사진=SK하이닉스 제공)

[증권경제신문=전수민 기자] SK하이닉스(000660, 대표 박정호·이석희)는 업계 최초로 최고 사양 D램 ‘HBM3’를 개발했다고 20일 밝혔다. 

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러개 D램을 수직으로 연결해 D램보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 제품으로, 이번에 개발된 HBM3는 4세대 제품이다. 

SK하이닉스는 지난해 7월 최초로 HBM2E D램 양산을 시작한 이후 HBM3도 최초로 개발했다. 

HBM3는 이전 세대에 비해 데이터 처리 속도가 약 78% 빨라졌다. 

SK하이닉스 차선용 부사장(D램개발담당)은 “세계 최초로 HBM D램을 출시한 당사는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어, 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다”며 “앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하는 한편, ESG 경영에 부합하는 제품을 공급하여 고객 가치를 높이기 위해 최선을 다하겠다”고 말했다.

 

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